Source: Slashdot
台积电今日宣布领先的1.6纳米级工艺技术，新A16制造工艺将成为公司的首个Angstrom级生产节点，承诺在性能上明显超越前辈N2P。该技术最重要的创新将是其后置电源传送网络(BSPDN)。与台积电的2纳米级节点(N2、N2P和N2X)一样，公司的1.6纳米级制造工艺将依赖环绕栅(GAA)纳米片晶体管，但不同于当前和下一代节点，这一技术采用了被称为超级供电导轨的后置电源传送。晶体管和BSPDN创新使得与台积电的N2P相比性能和效率得到实质性改进：新节点承诺在相同电压下时钟速率高出多达10%，在相同频率和复杂度下功耗降低15%-20%。
此外，新技术可能能够实现7%-10%更高的晶体管密度，具体取决于实际设计。台积电A16工艺最重要的创新是在公司2024年北美技术研讨会上发布的超级供电导轨(SPR)，一种精密的后置电源传送网络(BSPDN)。这项技术专门针对往往具有复杂信号布线和密集电源传送网络的AI和HPC处理器。
后置电源传送将被实施到许多即将推出的工艺技术中，因为它可以增加晶体管密度并改善电源传递，从而影响性能。与此同时，有几种实现BSPDN的方式。台积电的超级供电导轨通过一种特殊接触将后置电源传送网络连接到每个晶体管的源和漏极，同时减少电阻以获得最大性能和功率效率。
从生产角度来看，这是最复杂的BSPDN实现之一，比英特尔的Power Via更复杂。A16的大规模生产计划定于2026年下半年进行。因此，实际的A16产品可能会在2027年首次亮相，这个时间表将A16定位为潜在与英特尔的14A节点竞争，这将是当时英特尔最先进的节点。
技术的不断进步将持续推动半导体行业发展，而A16工艺的发布可能在未来导致芯片性能和功率效率的飞跃，引领产业趋势。
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来源：https://hardware.slashdot.org/story/24/04/25/2231235/tsmc-unveils-16nm-process-technology-with-backside-power-delivery?utm_source=rss1.0mainlinkanon&utm_medium=feed
https://appleinsider.com/articles/24/04/25/iphone-18-will-probably-get-tsmcs-newly-announced-next-generation-18nm-chip-process
https://www.reddit.com/r/hardware/comments/1ccr0ls/tsmc_unveils_16nm_process_technology_with/
