中国工信部9月初公布的“首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）”的通知中，列出全新自制DUV曝光机，分辨率为≤65nm，套刻精度≤8nm。许多中国民众乐翻，高喊中国突破美国封锁，瞎扯“可生产8奈米芯片”，惨遭自家人打脸。
中媒直言，此款新的DUV曝光机仅能生产65奈米或以下芯片，有人看到“套刻≤ 8nm”就认为这是8奈米曝光机，令人啼笑皆非。
中媒芯智讯报道，根据中国工信部公布的资料显示，“积体电路生产装备”项目列出了氟化氪曝光机和氟化氩曝光机，氟化氪曝光机就是老式的248奈米光源的KrF曝光机，分辨率为≤110nm，套刻精度≤25nm；氟化氩曝光机则是193奈米光源的ArF曝光机（DUV曝光机），但揭露的这款仍是干式DUV曝光机，而非更先进的浸没式DUV曝光机（也称为ArFi曝光机）。
从工信部揭露的参数来看，此DUV曝光机解析度为≤65nm，套刻精度≤8nm。虽然相比之前上微的SSA600曝光机有所提升（解析度为90nm），仍并未达到可以生产28奈米芯片的程度，更达不到制造什么8奈米、7奈米芯片的程度，很多网友直接把套刻精度跟光刻制造制程节点水平搞混。
报道指出，65nm的分辨率，那么单次曝光能够达到的制程节点大概就是“65奈米”左右。有人一看到“套刻≤ 8nm”就认为这是8奈米曝光机，令人啼笑皆非。
一位中国自媒体人也说，将“套刻≤ 8nm”认为可生产8奈米芯片“醒醒吧”，要达到8奈米还早，新公布的DUV曝光机应该落后ASML整整18年，想要往浸没式DUV曝光机进军，技术难题还多著，若要追赶ASML，必须一步一步来，切不可盲目乐观。
科技媒体《WccfTech》则认为，中国新公布国产DUV曝光机至少落后美国15年，因为荷兰半导体设备巨擘 ASML 的客户，至少在 2009 年就可以透过其 ArF 曝光机生产芯片。
美国联手盟友收紧对中国半导体出口限制，中国近日公布全新中国产DUV曝光机。（示意图，路透）
中国工信部公布，全新中国产DUV曝光机。（图取自中国社交平台）
