拜登政府将在纽约奥尔巴尼投资8.25亿美元建立新的半导体研究与开发设施。根据路透社的报道,该设施预计将推动极紫外光(EUV)技术的创新,这一复杂过程对于制造半导体至关重要。 美国商务部长吉娜·雷蒙多表示,设施的启动标志着美国在确保全球创新和半导体研发方面依然保持领先的关键里程碑。极紫外光光刻技术对于生产更小、更快和更高效的微芯片至关重要。 随着半导体行业不断挑战摩尔定律,EUV光刻技术已成为高产量生产7纳米以下晶体管的重要技术。 NSTC的发展能力和项目的开展,使得获得EUV光刻研发至关重要,以实现其三个主要目标:1)延续美国技术领导地位,2)降低原型开发时间与成本,3)构建和维持半导体产业人才生态系统。