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SK Hynix将在美国投资38.7亿美元建造HBM4及更先进的记忆封装工厂

2024-04-06 科技汇总
SK Hynix将在美国投资38.7亿美元建造HBM4及更先进的记忆封装工厂

Source: Slashdot

韩国半导体公司SK Hynix计划在印第安纳州韦斯特拉斐特建造其先进的记忆封装工厂,这将是美国首个高级存储器封装工厂,也是该公司在美国的首个重要制造业务。该工厂将用于生产高带宽内存(HBM)堆叠,并将于2028年开始运营。

SK Hynix还将与普渡大学合作进行研发项目。

工厂将进行HBM KGSDs的组装,并用于研发下一代HBM,是SK Hynix在韩国庆州原厂外采购DRAM芯片,需投资38.7亿美元,成为世界上最先进的半导体封装工厂之一。

SK Hynix与印第安纳州政府、普渡大学和美国政府代表签署了投资协议,明确了项目的财务参与方,但未透露是否将从美国政府根据CHIPS法案或其他资助计划获得资金。

技术发展迅速,跨国合作日益密切,半导体产业再添新动力。

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来源:https://hardware.slashdot.org/story/24/04/06/0041246/sk-hynix-to-build-387-billion-memory-packaging-fab-in-the-us-for-hbm4-and-beyond?utm_source=rss1.0mainlinkanon&utm_medium=feed https://www.techpowerup.com/news-tags/SK%2520Hynix https://www.cnbc.com/2024/04/04/sk-hynix-plans-to-invest-3point87-billion-in-us-chip-facility.html
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