Source: CNBC
三星电子周二宣布开发了一款新的高带宽存储芯片，具有行业中'迄今为止容量最高'的特点。韩国芯片巨头宣称，HBM3E 12H的性能和容量均提升了超过50%。三星电子记忆产品规划执行副总裁Yongcheol Bae表示，'行业的人工智能服务提供商越来越需要更高容量的高带宽存储芯片，我们的新产品HBM3E 12H正是为了满足这一需求而设计。三星电子是全球最大的动态随机存取存储器芯片制造商，该公司为消费类设备如智能手机和电脑提供芯片。生成式人工智能模型如OpenAI的ChatGPT需要大量高性能存储芯片。这样的芯片使生成式人工智能模型能够记住过去对话的细节和用户偏好，从而生成像人一样的回应。
人工智能热潮继续推动芯片制造商。美国芯片设计公司英伟达第四财季营收增长265%，得益于其图形处理单元需求激增，这些单元被用于运行和训练ChatGPT。英伟达首席执行官黄仁勋在与分析师的电话会议中表示，公司可能无法保持这一增长速度或销售额整年都保持。随着人工智能应用呈指数级增长，HBM3E 12H有望成为未来需要更多内存的系统的最佳解决方案。其更高的性能和容量将特别允许客户更灵活地管理其资源，并降低数据中心的总拥有成本，" 三星电子表示。三星表示，已开始向客户提供该芯片样品，HBM3E 12H的批量生产计划在2024年上半年进行。
大和证券执行董事SK Kim告诉CNBC，“我认为这条新闻将对三星股价产生积极影响。去年，三星在为英伟达提供HBM3方面落后于SK海力士。此外，Micron昨天宣布开始大规模生产24GB 8L HBM3E。我猜它将为英伟达的基于更高层数（12L）和更高密度（36GB）HBM3E产品确立领导地位。称Kim。九月，据《韩国经济日报》报道，三星与英伟达签署了供应其高带宽存储器3芯片的交易，匿名行业消息人士透露。
报告还称，SK海力士，韩国第二大存储芯片制造商，正在主导高性能存储芯片市场。报告称，SK海力士此前被认为是唯一向英伟达提供HBM3芯片的大规模生产商。三星表示，HBM3E 12H具有12层堆叠，但采用了先进的热压缩非导电膜，使得12层产品具有与8层产品相同的高度规范，以满足当前的HBM封装要求。结果是一款芯片在不增加物理占地面积的情况下，装载了更多的处理能力。三星继续降低其NCF材料的厚度，并实现了芯片之间的间距最小化为7微米（μm），同时消除了各层之间的空隙，” 三星表示。这些工作使得垂直密度较其HBM3 8H产品提高了20%以上。
随着人工智能应用的迅速发展，三星的新存储芯片将为未来系统提供更灵活的解决方案，同时降低数据中心的总拥有成本
